2SB1616 Todos los transistores

 

2SB1616 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1616
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 22 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SB1616 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  rohm
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2SB1616TransistorsTransistors2SD2478(SPEC-B426)(94L-1129-D426)301

 8.1. Size:213K  toshiba
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2SB1616

 8.2. Size:35K  panasonic
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2SB1616

Transistor2SB1612Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SD24741.5 0.14.5 0.1Features1.6 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and the maga- 45zine packing.0.4 0.080.4 0.040.5

 8.3. Size:39K  panasonic
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2SB1616

Transistor2SB1612Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SD24741.5 0.14.5 0.1Features1.6 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and the maga- 45zine packing.0.4 0.080.4 0.040.5

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