2SC4853A-4-TL-E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4853A-4-TL-E  📄📄 

Código: CN

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.09 W

Tensión colector-base (Vcb): 12 V

Tensión colector-emisor (Vce): 6 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT323

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2SC4853A-4-TL-E datasheet

 4.1. Size:241K  onsemi
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2SC4853A-4-TL-E

Ordering number ENA1076A 2SC4853A RF Transistor http //onsemi.com 6V, 15mA, fT=5GHz, NPN Single MCP Features Low-voltage, low-current operation fT=5GHz typ (VCE=1V, IC=1mA) S21e =7dB typ (f=1GHz) 2 NF=2.6dB typ (f=1GHz) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 12 V Collector-to-

 6.1. Size:55K  sanyo
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2SC4853A-4-TL-E

Ordering number ENA1076 2SC4853A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Voltage, Low-Current 2SC4853A High-Frequency Amplifier Applications Features Low-voltage, low-current operation fT=5GHz typ. (VCE=1V, IC=1mA) S21e 2=7dB typ (f=1GHz). NF=2.6dB typ (f=1GHz). Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol

 7.1. Size:126K  sanyo
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2SC4853A-4-TL-E

Ordering number EN4578A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4853 Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications Features Package Dimensions Low-voltage, low-current operation fT=5GHz typ. unit mm 2 (VCE=1V, IC=1mA) S21e =7dB typ (f=1GHz). 2059B NF=2.6dB typ (f=1GHz). [2SC4853] 0.3 0.15 3 0 0.1 1 2 0.3 0.6 0.65 0.65 0.9 2.0 1 Base

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