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2SC4853A-4-TL-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4853A-4-TL-E
   Código: CN
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.09 W
   Tensión colector-base (Vcb): 12 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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2SC4853A-4-TL-E Datasheet (PDF)

 4.1. Size:241K  onsemi
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2SC4853A-4-TL-E

Ordering number : ENA1076A2SC4853ARF Transistorhttp://onsemi.com6V, 15mA, fT=5GHz, NPN Single MCPFeatures Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ (VCE=1V, IC=1mA) : S21e =7dB typ (f=1GHz) 2 : NF=2.6dB typ (f=1GHz)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 12 VCollector-to-

 6.1. Size:55K  sanyo
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2SC4853A-4-TL-E

Ordering number : ENA1076 2SC4853ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorLow-Voltage, Low-Current2SC4853AHigh-Frequency Amplifier ApplicationsFeatures Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ.(VCE=1V, IC=1mA) :S21e2=7dB typ (f=1GHz).: NF=2.6dB typ (f=1GHz).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol

 7.1. Size:126K  sanyo
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2SC4853A-4-TL-E

Ordering number:EN4578ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4853Low-Voltage, Low-CurrentHigh-Frequency Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ.unit:mm2(VCE=1V, IC=1mA) : S21e =7dB typ (f=1GHz).2059B: NF=2.6dB typ (f=1GHz).[2SC4853]0.30.1530~0.11 20.3 0.60.65 0.650.92.01 : Base

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