2SC5226A-4-TL-E Todos los transistores

 

2SC5226A-4-TL-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5226A-4-TL-E
   Código: LN
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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2SC5226A-4-TL-E datasheet

 4.1. Size:237K  onsemi
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2SC5226A-4-TL-E

Ordering number ENA1062A 2SC5226A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=7GHz typ Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 20 V Collector-

 6.1. Size:75K  sanyo
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2SC5226A-4-TL-E

Ordering number ENA1062 2SC5226A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise 2SC5226A Amplifier Applications Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain S21e 2=12dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=7GHz typ. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditio

 6.2. Size:356K  onsemi
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2SC5226A-4-TL-E

Ordering number ENA1062A 2SC5226A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=7GHz typ Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 20 V Collector-

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History: 2SC4938

 

 

 


 
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