2SC5226A-4-TL-E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5226A-4-TL-E  📄📄 

Código: LN

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT323

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2SC5226A-4-TL-E datasheet

 4.1. Size:237K  onsemi
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2SC5226A-4-TL-E

Ordering number ENA1062A 2SC5226A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=7GHz typ Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 20 V Collector-

 6.1. Size:75K  sanyo
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2SC5226A-4-TL-E

Ordering number ENA1062 2SC5226A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise 2SC5226A Amplifier Applications Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain S21e 2=12dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=7GHz typ. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditio

 6.2. Size:356K  onsemi
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2SC5226A-4-TL-E

Ordering number ENA1062A 2SC5226A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=7GHz typ Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO 20 V Collector-

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