2SC5277A-2-TL-E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5277A-2-TL-E  📄📄 

Código: D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT416

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2SC5277A-2-TL-E datasheet

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2SC5277A-2-TL-E

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2SC5277A-2-TL-E

Ordering number ENA1075 2SC5277A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S-Band Low-Noise Amplifier 2SC5277A OSC Applications Features Low-noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). High gain S21e 2=10dB typ (f=1.5GHz). High cut-off frequency fT=8GHz typ. Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1

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2SC5277A-2-TL-E

Ordering number EN5187 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5277 UHF to S Band Low-Noise Amplifier, OSC Applications Features Package Dimensions Low noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). unit mm NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). 2106A 2 High gain S21e =10dB typ (f=1.5GHz). [2SC5277] High cutoff frequency fT=11GHz typ. 0.75 0.3 0.6 Low-voltage, low-current ope

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