2SC5501A-4-TR-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5501A-4-TR-E
Código: LN
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SOT343
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC5501A-4-TR-E
2SC5501A-4-TR-E Datasheet (PDF)
2sc5501a-4-tr-e.pdf
Ordering number : ENA1061A2SC5501ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4Features Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 : S21e =13dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=7GHz typ Large allowable collector dissipation : PC=500mW maxSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ra
2sc5501a.pdf
Ordering number : ENA1061 2SC5501ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Wide-Band Low-Noise2SC5501AAmplifier ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain : S21e2=13dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=7GHz typ. Large allowable collector dissipation : PC=500mW max.SpecificationsAbso
2sc5501.pdf
Ordering number:ENN6221NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5501VHF to UHF Low-Noise Wide-BandAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).unit:mm2 High gain : S21e =13dB typ (f=1GHz).2161 High cutoff frequency : fT=7GHz typ.[2SC5501] Large allowable collector dissipation :PC=500mW max.0.65 0.650.15
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: D45H1B | D880C-G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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