2SC5501A-4-TR-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5501A-4-TR-E
Código: LN
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT343
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2SC5501A-4-TR-E datasheet
2sc5501a-4-tr-e.pdf
Ordering number ENA1061A 2SC5501A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4 Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 S21e =13dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=7GHz typ Large allowable collector dissipation PC=500mW max Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ra
2sc5501a.pdf
Ordering number ENA1061 2SC5501A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise 2SC5501A Amplifier Applications Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain S21e 2=13dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=7GHz typ. Large allowable collector dissipation PC=500mW max. Specifications Abso
2sc5501.pdf
Ordering number ENN6221 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5501 VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Features Package Dimensions Low noise NF=1.0dB typ (f=1GHz). unit mm 2 High gain S21e =13dB typ (f=1GHz). 2161 High cutoff frequency fT=7GHz typ. [2SC5501] Large allowable collector dissipation PC=500mW max. 0.65 0.65 0.15
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History: BD370-16 | DCP68-25
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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