2SC5501A-4-TR-E Todos los transistores

 

2SC5501A-4-TR-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5501A-4-TR-E

Código: LN

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT343

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2SC5501A-4-TR-E datasheet

 0.1. Size:236K  onsemi
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2SC5501A-4-TR-E

Ordering number ENA1061A 2SC5501A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4 Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 S21e =13dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=7GHz typ Large allowable collector dissipation PC=500mW max Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ra

 6.1. Size:264K  sanyo
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2SC5501A-4-TR-E

Ordering number ENA1061 2SC5501A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise 2SC5501A Amplifier Applications Features Low-noise NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain S21e 2=13dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency fT=7GHz typ. Large allowable collector dissipation PC=500mW max. Specifications Abso

 7.1. Size:46K  sanyo
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2SC5501A-4-TR-E

Ordering number ENN6221 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5501 VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Features Package Dimensions Low noise NF=1.0dB typ (f=1GHz). unit mm 2 High gain S21e =13dB typ (f=1GHz). 2161 High cutoff frequency fT=7GHz typ. [2SC5501] Large allowable collector dissipation PC=500mW max. 0.65 0.65 0.15

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