Биполярный транзистор 2SC5501A-4-TR-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5501A-4-TR-E
Маркировка: LN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT343
Аналоги (замена) для 2SC5501A-4-TR-E
2SC5501A-4-TR-E Datasheet (PDF)
2sc5501a-4-tr-e.pdf
Ordering number : ENA1061A2SC5501ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4Features Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 : S21e =13dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=7GHz typ Large allowable collector dissipation : PC=500mW maxSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ra
2sc5501a.pdf
Ordering number : ENA1061 2SC5501ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Wide-Band Low-Noise2SC5501AAmplifier ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain : S21e2=13dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=7GHz typ. Large allowable collector dissipation : PC=500mW max.SpecificationsAbso
2sc5501.pdf
Ordering number:ENN6221NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5501VHF to UHF Low-Noise Wide-BandAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).unit:mm2 High gain : S21e =13dB typ (f=1GHz).2161 High cutoff frequency : fT=7GHz typ.[2SC5501] Large allowable collector dissipation :PC=500mW max.0.65 0.650.15
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050