2SC5646A-TL-H Todos los transistores

 

2SC5646A-TL-H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5646A-TL-H
   Código: NF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 9 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC5646A-TL-H Datasheet (PDF)

 6.1. Size:55K  sanyo
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2SC5646A-TL-H

Ordering number : ENA1120 2SC5646ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to S-Band Low-Noise Amplifier,2SC5646AOSC ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V).: fT=12.5GHz typ (VCE=3V). Low-voltage operation. High gain : S21e2=9.5dB typ (f=2GHz). Ultrasmall

 6.2. Size:431K  onsemi
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2SC5646A-TL-H

Ordering number : ENA1120A2SC5646ARF Transistorhttp://onsemi.com4V, 30mA, fT=12.5GHz, NPN Single SSFPFeatures Low-noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz) High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V) : fT=12.5GHz typ (VCE=3V) Low-voltage operation High gain 2 : S21e =9.5dB typ (f=2GHz) Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mm0.8mm0.6mm) Halogen

 7.1. Size:31K  sanyo
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2SC5646A-TL-H

Ordering number : ENN66062SC5646NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5646UHF to S Band Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low-noise use : NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit : mm High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V). 2159: fT=12.5GHz typ (VCE=3V).[2SC5646] Low operating voltage. High gain :S21e2=9.5dB typ (f=2GHz).

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History: 2SB1015O | 2N1196 | 2N2600 | 2N4355 | 2SC2959 | 2SA909 | 2SA1480E

 

 
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