2SC5646A-TL-H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5646A-TL-H  📄📄 

Código: NF

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 9 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT523

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2SC5646A-TL-H datasheet

 6.1. Size:55K  sanyo
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2SC5646A-TL-H

Ordering number ENA1120 2SC5646A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S-Band Low-Noise Amplifier, 2SC5646A OSC Applications Features Low-noise NF=1.5dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=1V). fT=12.5GHz typ (VCE=3V). Low-voltage operation. High gain S21e 2=9.5dB typ (f=2GHz). Ultrasmall

 6.2. Size:431K  onsemi
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2SC5646A-TL-H

Ordering number ENA1120A 2SC5646A RF Transistor http //onsemi.com 4V, 30mA, fT=12.5GHz, NPN Single SSFP Features Low-noise NF=1.5dB typ (f=2GHz) High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=1V) fT=12.5GHz typ (VCE=3V) Low-voltage operation High gain 2 S21e =9.5dB typ (f=2GHz) Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mm 0.8mm 0.6mm) Halogen

 7.1. Size:31K  sanyo
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2SC5646A-TL-H

Ordering number ENN6606 2SC5646 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5646 UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features Package Dimensions Low-noise use NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit mm High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=1V). 2159 fT=12.5GHz typ (VCE=3V). [2SC5646] Low operating voltage. High gain S21e 2=9.5dB typ (f=2GHz).

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