MJF31CG Todos los transistores

 

MJF31CG . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MJF31CG
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 28 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MJF31CG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  onsemi
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MJF31CG

MJF31C (NPN),MJF32C (PNP)Preferred Device Complementary SiliconPlastic Power Transistorsfor Isolated Packagehttp://onsemi.comApplicationsDesigned for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPEREapplications.POWER TRANSISTORSCOMPLEMENTARY SILICONFeatures100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

 8.1. Size:190K  onsemi
 mjf31c mjf32c.pdf pdf_icon

MJF31CG

MJF31C (NPN),MJF32C (PNP)Preferred Device Complementary SiliconPlastic Power Transistorsfor Isolated Packagehttp://onsemi.comApplicationsDesigned for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPEREapplications.POWER TRANSISTORSCOMPLEMENTARY SILICONFeatures100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

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History: MP1532 | ECG2336 | 2SC3988L | MJD127T4 | KSA1174P | 2SC1060A | NTE2341

 

 
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