MJF31CG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJF31CG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJF31CG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF31CG даташит

 ..1. Size:122K  onsemi
 mjf31cg.pdf pdf_icon

MJF31CG

MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

 8.1. Size:190K  onsemi
 mjf31c mjf32c.pdf pdf_icon

MJF31CG

MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

Другие транзисторы: MJF127G, MJF13009, MJF15030G, MJF15031G, MJF18004G, MJF18008G, MJF2955G, MJF3055G, BDT88, MJF32CG, MJF44H11G, MJF45H11G, MJF47G, MJF6388G, MJF6668, MJF6668G, MJH11017G