MJH16018 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJH16018
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Paquete / Cubierta: TO218
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MJH16018 Datasheet (PDF)
mjh16018.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJH16018DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Turn-Off TimeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage, high-speed , power switching ininductive circuits where fall time is critical. They are particu-larly suited for line operated swi
Otros transistores... MJH11017G , MJH11019G , MJH11020G , MJH11021G , MJH11022G , MJH16010 , MJH16010A , MJH16012 , D882 , MJH6284G , MJH6287G , MJL1302AG , MJL21193G , MJL21194G , MJL21195G , MJL21196G , MJL3281AG .
History: 2N6254 | 2SA2126-E | BC263 | CSC2003M | 2SA2029M3T5G | CHDTA114YUGP | 3CG1018
History: 2N6254 | 2SA2126-E | BC263 | CSC2003M | 2SA2029M3T5G | CHDTA114YUGP | 3CG1018
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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