MJH16018. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJH16018

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для MJH16018

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH16018 даташит

 ..1. Size:97K  njs
 mjh16018.pdf pdf_icon

MJH16018

 ..2. Size:219K  inchange semiconductor
 mjh16018.pdf pdf_icon

MJH16018

isc Silicon NPN Power Transistor MJH16018 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 800V(Min) CEO(SUS) Fast Turn-Off Time Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage, high-speed , power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particu- larly suited for line operated swi

 7.1. Size:119K  njs
 mjh16012.pdf pdf_icon

MJH16018

 7.2. Size:844K  njs
 mjh16010a.pdf pdf_icon

MJH16018

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJH11017G, MJH11019G, MJH11020G, MJH11021G, MJH11022G, MJH16010, MJH16010A, MJH16012, BC337, MJH6284G, MJH6287G, MJL1302AG, MJL21193G, MJL21194G, MJL21195G, MJL21196G, MJL3281AG