3CD010 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD010

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO257

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3CD010 datasheet

 ..1. Size:145K  china
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3CD010

3CD010 PNP B C D E F G H PCM TA=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=0.5m 4.0 V ICBO VCBA

 0.1. Size:208K  inchange semiconductor
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3CD010

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD010G DESCRIPTION DC Current Gain h = 15@I = -0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage V = -200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYM

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