3CD010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD010

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO257

 Аналоги (замена) для 3CD010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD010 даташит

 ..1. Size:145K  china
 3cd010.pdf pdf_icon

3CD010

3CD010 PNP B C D E F G H PCM TA=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=0.5m 4.0 V ICBO VCBA

 0.1. Size:208K  inchange semiconductor
 3cd010g.pdf pdf_icon

3CD010

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD010G DESCRIPTION DC Current Gain h = 15@I = -0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage V = -200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYM

Другие транзисторы: MJW1302AG, MJW21191, MJW21192, MJW21193G, MJW21194G, MJW21195G, MJW21196G, MJW3281AG, 2SC2073, 3CD020, 3CD030, 3CD050, 3CD075, 3CD1, 3CD100, 3CD1010, 3CD102