3CD150 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD150

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7

Encapsulados: TO3

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3CD150 datasheet

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3CD150

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class JP, JT, JC

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