3CD150 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3CD150 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3CD150
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для 3CD150

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:26K  shaanxi
 3cd150.pdf pdf_icon

3CD150

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC

Другие транзисторы... 3CD1 , 3CD100 , 3CD1010 , 3CD102 , 3CD103 , 3CD1094 , 3CD1290 , 3CD1375 , 2SC1815 , 3CD205 , 3CD3 , 3CD32 , 3CD32A , 3CD32B , 3CD32C , 3CD4 , 3CD42 .

History: BC847BW-Q | 40305 | GT813V | 2SA1417T | 2N5313 | 2SA1418S

 

 
Back to Top

 


 
.