3CD150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD150

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3CD150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD150 даташит

 ..1. Size:26K  shaanxi
 3cd150.pdf pdf_icon

3CD150

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class JP, JT, JC

Другие транзисторы: 3CD1, 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094, 3CD1290, 3CD1375, TIP35C, 3CD205, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42