3CG1440 Todos los transistores

 

3CG1440 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG1440
   Código: H1IR_H1IS
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

 Búsqueda de reemplazo de 3CG1440

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3CG1440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  lzg
 3cg1440.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1440(3CG1440) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: For low frequency output amplification 2SD2185(3DG2185) Features: Low V , complementary to 2SD2185(3DG2185). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -50 V CBO

 9.1. Size:180K  lzg
 3cg1426.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1426(3CG1426) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Features: Low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO -20 V VCEO -20 V VEBO -6.0 V IC -3.0 A PC 750 mW Tj 150 Tstg -55150 /Electrical characteris

 9.2. Size:233K  lzg
 3cg1424.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1424(3CG1424) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. : Features: Low V ,excellent DC current gain characteristics. CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20

Otros transistores... 3CG1316 , 3CG1317 , 3CG1320 , 3CG1365 , 3CG1376 , 3CG1386 , 3CG1424 , 3CG1426 , 2N3906 , 3CG1576A , 3CG1577W , 3CG1585S , 3CG1590K , 3CG160 , 3CG1621 , 3CG170 , 3CG1700 .

History: BC530 | 2N3809 | 2SA1353E | 2N5330 | 2N1019 | SM3281 | 2SD1647

 

 
Back to Top

 


 
.