3CG1440 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG1440
Código: H1IR_H1IS
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG1440
3CG1440 Datasheet (PDF)
3cg1440.pdf
2SB1440(3CG1440) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: For low frequency output amplification 2SD2185(3DG2185) Features: Low V , complementary to 2SD2185(3DG2185). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -50 V CBO
3cg1426.pdf
2SB1426(3CG1426) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Features: Low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO -20 V VCEO -20 V VEBO -6.0 V IC -3.0 A PC 750 mW Tj 150 Tstg -55150 /Electrical characteris
3cg1424.pdf
2SB1424(3CG1424) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. : Features: Low V ,excellent DC current gain characteristics. CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20
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