3CG1440 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1440

Código: H1IR_H1IS

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT89

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3CG1440 datasheet

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3CG1440

2SB1440(3CG1440) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose For low frequency output amplification 2SD2185(3DG2185) Features Low V , complementary to 2SD2185(3DG2185). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V CBO

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3CG1440

2SB1426(3CG1426) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Features Low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -20 V V CEO -20 V V EBO -6.0 V I C -3.0 A P C 750 mW T j 150 T stg -55 150 /Electrical characteris

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3CG1440

2SB1424(3CG1424) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. Features Low V ,excellent DC current gain characteristics. CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20

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