3CG1440. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1440

Маркировка: H1IR_H1IS

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG1440

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1440 даташит

 ..1. Size:262K  lzg
 3cg1440.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1440(3CG1440) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose For low frequency output amplification 2SD2185(3DG2185) Features Low V , complementary to 2SD2185(3DG2185). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V CBO

 9.1. Size:180K  lzg
 3cg1426.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1426(3CG1426) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Features Low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -20 V V CEO -20 V V EBO -6.0 V I C -3.0 A P C 750 mW T j 150 T stg -55 150 /Electrical characteris

 9.2. Size:233K  lzg
 3cg1424.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1424(3CG1424) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. Features Low V ,excellent DC current gain characteristics. CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20

Другие транзисторы: 3CG1316, 3CG1317, 3CG1320, 3CG1365, 3CG1376, 3CG1386, 3CG1424, 3CG1426, 13007, 3CG1576A, 3CG1577W, 3CG1585S, 3CG1590K, 3CG160, 3CG1621, 3CG170, 3CG1700