Справочник транзисторов. 3CG1440

 

Биполярный транзистор 3CG1440 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG1440
   Маркировка: H1IR_H1IS
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 3CG1440

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  lzg
 3cg1440.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1440(3CG1440) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: For low frequency output amplification 2SD2185(3DG2185) Features: Low V , complementary to 2SD2185(3DG2185). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -50 V CBO

 9.1. Size:180K  lzg
 3cg1426.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1426(3CG1426) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Features: Low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO -20 V VCEO -20 V VEBO -6.0 V IC -3.0 A PC 750 mW Tj 150 Tstg -55150 /Electrical characteris

 9.2. Size:233K  lzg
 3cg1424.pdf pdf_icon

3CG1440

2SB1424(3CG1424) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. : Features: Low V ,excellent DC current gain characteristics. CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20

Другие транзисторы... 3CG1316 , 3CG1317 , 3CG1320 , 3CG1365 , 3CG1376 , 3CG1386 , 3CG1424 , 3CG1426 , 2N3906 , 3CG1576A , 3CG1577W , 3CG1585S , 3CG1590K , 3CG160 , 3CG1621 , 3CG170 , 3CG1700 .

History: 2N351 | ZTX108CM | MJ10024 | NTE382 | 2SC4169 | SEBT9012 | S8550G

 

 
Back to Top

 


 
.