3CG3 Todos los transistores

 

3CG3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO92 SOT23
 

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3CG3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  china
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3CG3

3CG3 PNP A B C D E F G PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 45 60 75 90 105 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 40 55 70 85 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1

 0.1. Size:304K  blue-rocket-elect
 br3cg3802.pdf pdf_icon

3CG3

2SA3802(BR3CG3802) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features / Applications Audio frequency power amplifier and switching applications. / Equivalent Circuit / Pinning 1

 0.2. Size:108K  china
 3cg3906.pdf pdf_icon

3CG3

3CG3906 PNP PCM TA=25 300 mW ICM `200 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.1mA 40 V V(BR)CEO ICE0.1mA 40 V V(BR)EBO IEB0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 50 nA IC=10mA VBEsat 0.85 IB=1mA V IC=10mA VCEsat 0.25 IB=1mA VCE=1V

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