3CG3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG3
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO92 SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG3
3CG3 Datasheet (PDF)
3cg3.pdf
3CG3 PNP A B C D E F G PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 45 60 75 90 105 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 40 55 70 85 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1
br3cg3802.pdf
2SA3802(BR3CG3802) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features / Applications Audio frequency power amplifier and switching applications. / Equivalent Circuit / Pinning 1
3cg3906.pdf
3CG3906 PNP PCM TA=25 300 mW ICM `200 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.1mA 40 V V(BR)CEO ICE0.1mA 40 V V(BR)EBO IEB0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 50 nA IC=10mA VBEsat 0.85 IB=1mA V IC=10mA VCEsat 0.25 IB=1mA VCE=1V
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History: 2SB1034 | 2SAB41
Liste
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