3CG3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO92 SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG3 даташит

 ..1. Size:133K  china
 3cg3.pdf pdf_icon

3CG3

3CG3 PNP A B C D E F G PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 45 60 75 90 105 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 40 55 70 85 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1

 0.1. Size:304K  blue-rocket-elect
 br3cg3802.pdf pdf_icon

3CG3

2SA3802(BR3CG3802) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features / Applications Audio frequency power amplifier and switching applications. / Equivalent Circuit / Pinning 1

 0.2. Size:108K  china
 3cg3906.pdf pdf_icon

3CG3

3CG3906 PNP PCM TA=25 300 mW ICM 200 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB 0.1mA 40 V V(BR)CEO ICE 0.1mA 40 V V(BR)EBO IEB 0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 50 nA IC=10mA VBEsat 0.85 IB=1mA V IC=10mA VCEsat 0.25 IB=1mA VCE=1V

Другие транзисторы: 3CG2048, 3CG21, 3CG22, 3CG23, 3CG2905, 3CG2907, 3CG2907A, 3CG298, BC558, 3CG3906, 3CG4126, 3CG4403, 3CG5, 3CG5087, 3CG5415, 3CG56, 3CG560