Справочник транзисторов. 3CG3

 

Биполярный транзистор 3CG3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92 SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3CG3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  china
 3cg3.pdf pdf_icon

3CG3

3CG3 PNP A B C D E F G PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 45 60 75 90 105 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 40 55 70 85 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1

 0.1. Size:304K  blue-rocket-elect
 br3cg3802.pdf pdf_icon

3CG3

2SA3802(BR3CG3802) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features / Applications Audio frequency power amplifier and switching applications. / Equivalent Circuit / Pinning 1

 0.2. Size:108K  china
 3cg3906.pdf pdf_icon

3CG3

3CG3906 PNP PCM TA=25 300 mW ICM `200 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB0.1mA 40 V V(BR)CEO ICE0.1mA 40 V V(BR)EBO IEB0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 50 nA IC=10mA VBEsat 0.85 IB=1mA V IC=10mA VCEsat 0.25 IB=1mA VCE=1V

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BC55PAS | NSVDTA144EET1G | BFQ31R | BUX27 | KST5179 | BUX12CECC | MRF10070

 

 
Back to Top

 


 
.