3CG562 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG562

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 350 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 38 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: TO92LM

 Búsqueda de reemplazo de 3CG562

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3CG562 datasheet

 ..1. Size:255K  china
 3cg562.pdf pdf_icon

3CG562

 0.1. Size:258K  lzg
 3cg562m.pdf pdf_icon

3CG562

2SA562M(3CG562M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h , 2SC1959M(3DG1959M) FE Features Excellent h linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). FE

 0.2. Size:193K  lzg
 3cg562tm.pdf pdf_icon

3CG562

2SA562TM(3CG562TM) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h ,1W , 2SC1959(3DG1959) FE Features Excellent h linearity,1 watt amplifier application, complementary pair with

 9.1. Size:129K  china
 3cg56.pdf pdf_icon

3CG562

3CG56 PNP TO-92 SOT-23 SOT-223 PCM TA=25 mW 625 350 1000 Rj-a TA>25 5.0 2.8 8.0 mW/ ICM 0.5 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V ICBO IEB=0.1mA 4 A ICEO VCB=80V 0.1 A IEBO VCE=60V 0.1 A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 3CG4126, 3CG4403, 3CG5, 3CG5087, 3CG5415, 3CG56, 3CG560, 3CG561, C3198, 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636