3CG562 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3CG562 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3CG562
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO92LM

 Аналоги (замена) для 3CG562

 

3CG562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  china
 3cg562.pdf pdf_icon

3CG562

 0.1. Size:258K  lzg
 3cg562m.pdf pdf_icon

3CG562

2SA562M(3CG562M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h , 2SC1959M(3DG1959M) FE Features Excellent h linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). FE

 0.2. Size:193K  lzg
 3cg562tm.pdf pdf_icon

3CG562

2SA562TM(3CG562TM) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h ,1W , 2SC1959(3DG1959) FE Features Excellent h linearity,1 watt amplifier application, complementary pair with

 9.1. Size:129K  china
 3cg56.pdf pdf_icon

3CG562

3CG56 PNP TO-92 SOT-23 SOT-223 PCM TA=25 mW 625 350 1000 Rj-a TA>25 5.0 2.8 8.0 mW/ ICM 0.5 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V ICBO IEB=0.1mA 4 A ICEO VCB=80V 0.1 A IEBO VCE=60V 0.1 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3CG4126 , 3CG4403 , 3CG5 , 3CG5087 , 3CG5415 , 3CG56 , 3CG560 , 3CG561 , C3198 , 3CG562M , 3CG562TM , 3CG5T3Z , 3CG6 , 3CG608 , 3CG608K , 3CG624 , 3CG636 .

 

 
Back to Top

 


 
.