3CG5T3Z Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG5T3Z

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 7.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

 Búsqueda de reemplazo de 3CG5T3Z

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3CG5T3Z datasheet

 ..1. Size:111K  china
 3cg5t3z.pdf pdf_icon

3CG5T3Z

3CG5T3Z PNP PCM TA=25 900 mW ICM 15 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 50 V V(BR)CEO ICE=10mA 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 7.5 V ICBO VCB=40V 20 nA IEBO VCB=6V 20 nA VBEsat 0.9 IC=2A V IB=40mA VCEsat 0.175 VCE=2V hFE

Otros transistores... 3CG5087, 3CG5415, 3CG56, 3CG560, 3CG561, 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 2SB817, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 3CG673