3CG5T3Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG5T3Z

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG5T3Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG5T3Z даташит

 ..1. Size:111K  china
 3cg5t3z.pdf pdf_icon

3CG5T3Z

3CG5T3Z PNP PCM TA=25 900 mW ICM 15 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 50 V V(BR)CEO ICE=10mA 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 7.5 V ICBO VCB=40V 20 nA IEBO VCB=6V 20 nA VBEsat 0.9 IC=2A V IB=40mA VCEsat 0.175 VCE=2V hFE

Другие транзисторы: 3CG5087, 3CG5415, 3CG56, 3CG560, 3CG561, 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 2SB817, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 3CG673