3CG709A Todos los transistores

 

3CG709A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG709A
   Código: H1BQ_H1BR_H1BS
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

3CG709A Datasheet (PDF)

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3CG709A

2SB709A(3CG709A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier applications. : 2SD601A(3DG601A)/Features:Complementary pair with 2SD601A(3DG601A). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V EBO I -100 mA

 9.1. Size:23K  shaanxi
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3CG709A

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG708PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N2238 | 2SC34 | 2SC2557 | 2SC4541 | KT3128A-1 | CIL702 | DRA3A43X

 

 
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