3CG709A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG709A

Código: H1BQ_H1BR_H1BS

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT23

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3CG709A datasheet

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3CG709A

2SB709A(3CG709A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General power amplifier applications. 2SD601A(3DG601A) /Features Complementary pair with 2SD601A(3DG601A). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V EBO I -100 mA

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3CG709A

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG708 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source

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