3CG709A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG709A
Código: H1BQ_H1BR_H1BS
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG709A
3CG709A Datasheet (PDF)
3cg709a.pdf
2SB709A(3CG709A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier applications. : 2SD601A(3DG601A)/Features:Complementary pair with 2SD601A(3DG601A). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V EBO I -100 mA
3cg708.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG708PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Liste
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