Справочник транзисторов. 3CG709A

 

Биполярный транзистор 3CG709A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG709A
   Маркировка: H1BQ_H1BR_H1BS
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для 3CG709A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG709A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  lzg
 3cg709a.pdf pdf_icon

3CG709A

2SB709A(3CG709A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier applications. : 2SD601A(3DG601A)/Features:Complementary pair with 2SD601A(3DG601A). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V EBO I -100 mA

 9.1. Size:23K  shaanxi
 3cg708.pdf pdf_icon

3CG709A

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG708PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source

Другие транзисторы... 3CG624 , 3CG636 , 3CG640 , 3CG6517 , 3CG673 , 3CG673A , 3CG698 , 3CG708 , 2SD669 , 3CG715 , 3CG715F , 3CG719 , 3CG720 , 3CG733 , 3CG733M , 3CG739 , 3CG743 .

History: 2N2662

 

 
Back to Top

 


 
.