3CG715F Todos los transistores

 

3CG715F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG715F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 160 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126F
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3CG715F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  lzg
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3CG715F

2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162F(3DA1162F)/Features: Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I

 8.1. Size:354K  lzg
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3CG715F

2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162(3DA1162)/Features: Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5

 9.1. Size:298K  lzg
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3CG715F

2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF output amplifier and driver. : 2SC1317(3DG1317)/Features:Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50

Otros transistores... 3CG640 , 3CG6517 , 3CG673 , 3CG673A , 3CG698 , 3CG708 , 3CG709A , 3CG715 , D882P , 3CG719 , 3CG720 , 3CG733 , 3CG733M , 3CG739 , 3CG743 , 3CG743A , 3CG764 .

 

 
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