Справочник транзисторов. 3CG715F

 

Биполярный транзистор 3CG715F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG715F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3CG715F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  lzg
 3cg715f.pdf pdf_icon

3CG715F

2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162F(3DA1162F)/Features: Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I

 8.1. Size:354K  lzg
 3cg715.pdf pdf_icon

3CG715F

2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162(3DA1162)/Features: Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5

 9.1. Size:298K  lzg
 3cg719.pdf pdf_icon

3CG715F

2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF output amplifier and driver. : 2SC1317(3DG1317)/Features:Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KTD1146 | ZTX614 | ECH8503-TL-H | 2SC889 | MPS2484 | BD120 | BF321

 

 
Back to Top

 


 
.