3CG778 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG778

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO92

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3CG778 datasheet

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3CG778

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 V CBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 V EBO -5.0 V I -50 mA C P

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3CG778

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 V CBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 V EBO -5.0 V I -50 mA C P

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3CG778

2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier. V 2SD889(3DG889) EBO Features High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1

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