Биполярный транзистор 3CG778 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG778
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO92
3CG778 Datasheet (PDF)
3cg778.pdf
2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P
3cg778a.pdf
2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P
3cg774.pdf
2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:Audio frequency amplifier. :V 2SD889(3DG889) EBOFeatures:High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS