Справочник транзисторов. 3CG778

 

Биполярный транзистор 3CG778 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CG778
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG778

 

 

3CG778 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  lzg
3cg778.pdf

3CG778
3CG778

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P

 0.1. Size:237K  lzg
3cg778a.pdf

3CG778
3CG778

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P

 9.1. Size:174K  lzg
3cg774.pdf

3CG778
3CG778

2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:Audio frequency amplifier. :V 2SD889(3DG889) EBOFeatures:High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top