Справочник транзисторов. 3CG778

 

Биполярный транзистор 3CG778 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG778
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3CG778

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG778 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  lzg
 3cg778.pdf pdf_icon

3CG778

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P

 0.1. Size:237K  lzg
 3cg778a.pdf pdf_icon

3CG778

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P

 9.1. Size:174K  lzg
 3cg774.pdf pdf_icon

3CG778

2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:Audio frequency amplifier. :V 2SD889(3DG889) EBOFeatures:High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 3CD5 | 2N5126

 

 
Back to Top

 


 
.