3CG812 Todos los transistores

 

3CG812 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG812
   Código: HM4_HM5_M6H_HM7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3CG812 Datasheet (PDF)

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3CG812

2SA812(3CG812) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency amplifier application . : 2SC1623(3DG1623)/Features: Complementary pair with 2SC1623(3DG1623). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C

 9.1. Size:217K  lzg
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3CG812

2SA817A(3CG817A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SC1627A(3DG1627A) Purpose: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SC1627A(3DG1627A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

Otros transistores... 3CG743A , 3CG764 , 3CG774 , 3CG778 , 3CG778A , 3CG790A , 3CG798 , 3CG807-16 , TIP36C , 3CG817A , 3CG838 , 3CG844 , 3CG854S , 3CG8550 , 3CG8550A , 3CG8551 , 3CG857B .

History: DCX114EK | SD4590 | DMA366A3 | ASY68 | BSC1016 | H423

 

 
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