3CG812 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG812

Código: HM4_HM5_M6H_HM7

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT23

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3CG812 datasheet

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3CG812

2SA812(3CG812) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier application . 2SC1623(3DG1623) /Features Complementary pair with 2SC1623(3DG1623). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C

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3CG812

2SA817A(3CG817A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Driver stage amplifier and voltage amplifier. 30 35W 2SC1627A(3DG1627A) Purpose Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SC1627A(3DG1627A). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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