3CG812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG812

Маркировка: HM4_HM5_M6H_HM7

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG812

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG812 даташит

 ..1. Size:148K  lzg
 3cg812.pdf pdf_icon

3CG812

2SA812(3CG812) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier application . 2SC1623(3DG1623) /Features Complementary pair with 2SC1623(3DG1623). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C

 9.1. Size:217K  lzg
 3cg817a.pdf pdf_icon

3CG812

2SA817A(3CG817A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Driver stage amplifier and voltage amplifier. 30 35W 2SC1627A(3DG1627A) Purpose Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SC1627A(3DG1627A). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

Другие транзисторы: 3CG743A, 3CG764, 3CG774, 3CG778, 3CG778A, 3CG790A, 3CG798, 3CG807-16, D882P, 3CG817A, 3CG838, 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B