Биполярный транзистор 3CG812 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG812
Маркировка: HM4_HM5_M6H_HM7
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT23
3CG812 Datasheet (PDF)
3cg812.pdf
2SA812(3CG812) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency amplifier application . : 2SC1623(3DG1623)/Features: Complementary pair with 2SC1623(3DG1623). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C
3cg817a.pdf
2SA817A(3CG817A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SC1627A(3DG1627A) Purpose: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SC1627A(3DG1627A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050