3CG838 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG838

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO92

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3CG838 datasheet

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3CG838

2SA838(3CG838) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR 2SC1359(3DG1359) Purpose For low-frequency amplification, complementary to 2SC1359(3DG1359). Features High transfer ratio f . T /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -30 V V CE

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