3CG838. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG838

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG838

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG838 даташит

 ..1. Size:215K  lzg
 3cg838.pdf pdf_icon

3CG838

2SA838(3CG838) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR 2SC1359(3DG1359) Purpose For low-frequency amplification, complementary to 2SC1359(3DG1359). Features High transfer ratio f . T /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -30 V V CE

Другие транзисторы: 3CG774, 3CG778, 3CG778A, 3CG790A, 3CG798, 3CG807-16, 3CG812, 3CG817A, TIP120, 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, 3CG893, 3CG9