3CG9012 Todos los transistores

 

3CG9012 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG9012
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 64
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3CG9012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  jilin sino
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3CG9012

PNP PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3CG9012 MAIN CHARACTERISTICS Package I -500mA CV -20V CEOP 625mW C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 ..2. Size:217K  foshan
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3CG9012

S9012(3CG9012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , h , S9013(3DG9013) C C FEFeatures: High P and I , excellent h linearity, complementary pair with S9013(3DG9013). C C FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

Otros transistores... 3CG844 , 3CG854S , 3CG8550 , 3CG8550A , 3CG8551 , 3CG857B , 3CG893 , 3CG9 , C945 , 3CG926 , 3CG937 , 3CG950 , 3CG952 , 3CG953 , 3CG953M , 3CG965 , 3CG966 .

History: 2SA1556 | H1302 | 2SD599

 

 
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