3CG9012 - описание и поиск аналогов

 

3CG9012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG9012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG9012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG9012 даташит

 ..1. Size:561K  jilin sino
 3cg9012.pdf pdf_icon

3CG9012

 ..2. Size:217K  foshan
 3cg9012.pdf pdf_icon

3CG9012

S9012(3CG9012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , h , S9013(3DG9013) C C FE Features High P and I , excellent h linearity, complementary pair with S9013(3DG9013). C C FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

Другие транзисторы: 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, 3CG893, 3CG9, TIP41C, 3CG926, 3CG937, 3CG950, 3CG952, 3CG953, 3CG953M, 3CG965, 3CG966

 

 

 

 

↑ Back to Top
.