3CK3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CK3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO18

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3CK3 datasheet

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3CK3

3CK3 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 25 35 25 35 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 20 30 20 30 35 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.5 A

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3CK3

3CK304 PNP A B C D E F PCM TC=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=0.5VCB 1.0 mA

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3CK3

3CK301 PNP C D E F G H PCM TC=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=2mA 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=0.5VCBO 2.0 mA

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3CK3

3CK35 PNP B C D E F TC=25 15 PCM W TC=75 10 ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 Rth 10 /W V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5 V ICBO1 0.1 A ICBO2 1 A VBEsa

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