3CK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CK3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CK3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK3 даташит

 ..1. Size:130K  china
 3ck3.pdf pdf_icon

3CK3

3CK3 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 25 35 25 35 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 20 30 20 30 35 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.5 A

 0.1. Size:125K  china
 3ck304.pdf pdf_icon

3CK3

3CK304 PNP A B C D E F PCM TC=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=0.5VCB 1.0 mA

 0.2. Size:145K  china
 3ck301.pdf pdf_icon

3CK3

3CK301 PNP C D E F G H PCM TC=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=2mA 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=0.5VCBO 2.0 mA

 0.3. Size:120K  china
 3ck35.pdf pdf_icon

3CK3

3CK35 PNP B C D E F TC=25 15 PCM W TC=75 10 ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 Rth 10 /W V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5 V ICBO1 0.1 A ICBO2 1 A VBEsa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CK100, 3CK104, 3CK110, 3CK117, 3CK120, 3CK1216, 3CK130, 3CK2, 2N3906, 3CK301, 3CK304, 3CK35, 3CK4, 3CK5323, 3CK9, 3DD03T, 3DD04T