Справочник транзисторов. 3CK3

 

Биполярный транзистор 3CK3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CK3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 3CK3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  china
3ck3.pdfpdf_icon

3CK3

3CK3 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 25 35 25 35 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 20 30 20 30 35 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.5 A

 0.1. Size:125K  china
3ck304.pdfpdf_icon

3CK3

3CK304 PNP A B C D E F PCM TC=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=0.5VCB 1.0 mA

 0.2. Size:145K  china
3ck301.pdfpdf_icon

3CK3

3CK301 PNP C D E F G H PCM TC=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=2mA 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=0.5VCBO 2.0 mA

 0.3. Size:120K  china
3ck35.pdfpdf_icon

3CK3

3CK35 PNP B C D E F TC=25 15 PCM W TC=75 10 ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 Rth 10 /W V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5 V ICBO1 0.1 A ICBO2 1 A VBEsa

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: K2115B

 

 
Back to Top

 


 
.