3DD03T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD03T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO276AB TO220 TO257
- Selección de transistores por parámetros
3DD03T Datasheet (PDF)
3dd03t.pdf

3DD03T(DD03T) NPN A B C PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 60 100 150 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.5 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEB
Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: ZTX214L | C63 | MJE1320-ISC | ED1702N | SMUN5335DW | UMB6N | D7ST1010
History: ZTX214L | C63 | MJE1320-ISC | ED1702N | SMUN5335DW | UMB6N | D7ST1010



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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