Биполярный транзистор 3DD03T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD03T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
3DD03T Datasheet (PDF)
..1. Size:148K china
3dd03t.pdf
3dd03t.pdf
3DD03T(DD03T) NPN A B C PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 60 100 150 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.5 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEB
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050