3DD03T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD03T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD03T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD03T даташит

 ..1. Size:148K  china
 3dd03t.pdf pdf_icon

3DD03T

3DD03T(DD03T) NPN A B C PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 60 100 150 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.5 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEB

Другие транзисторы: 3CK2, 3CK3, 3CK301, 3CK304, 3CK35, 3CK4, 3CK5323, 3CK9, 2SC2073, 3DD04T, 3DD05, 3DD05T, 3DD1, 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102