Биполярный транзистор 3DD03T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD03T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
3DD03T Datasheet (PDF)
..1. Size:148K china
3dd03t.pdf
3dd03t.pdf
3DD03T(DD03T) NPN A B C PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 60 100 150 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.5 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
