3DD04T Todos los transistores

 

3DD04T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD04T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO276AB TO220 TO257
 

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3DD04T Datasheet (PDF)

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3DD04T

3DD04T(DD04T) NPN PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=2mA 200 V V(BR)CEO ICE=2mA 160 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=80V 0.5 mA ICEO VCE=80V 1.0 mA IEBO VEB=4V 0.5 mA VBEsat

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History: 2SA1163 | 2SD1409

 

 
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