Справочник транзисторов. 3DD04T

 

Биполярный транзистор 3DD04T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD04T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  china
 3dd04t.pdf pdf_icon

3DD04T

3DD04T(DD04T) NPN PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=2mA 200 V V(BR)CEO ICE=2mA 160 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=80V 0.5 mA ICEO VCE=80V 1.0 mA IEBO VEB=4V 0.5 mA VBEsat

Другие транзисторы... 3CK3 , 3CK301 , 3CK304 , 3CK35 , 3CK4 , 3CK5323 , 3CK9 , 3DD03T , 2SC4793 , 3DD05 , 3DD05T , 3DD1 , 3DD10 , 3DD100 , 3DD101 , 3DD102 , 3DD103 .

History: KRA226S

 

 
Back to Top

 


 
.