Биполярный транзистор 3DD04T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD04T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
3DD04T Datasheet (PDF)
..1. Size:145K china
3dd04t.pdf
3dd04t.pdf
3DD04T(DD04T) NPN PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=2mA 200 V V(BR)CEO ICE=2mA 160 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=80V 0.5 mA ICEO VCE=80V 1.0 mA IEBO VEB=4V 0.5 mA VBEsat
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050