3DD04T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD04T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD04T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD04T даташит

 ..1. Size:145K  china
 3dd04t.pdf pdf_icon

3DD04T

Другие транзисторы: 3CK3, 3CK301, 3CK304, 3CK35, 3CK4, 3CK5323, 3CK9, 3DD03T, S9014, 3DD05, 3DD05T, 3DD1, 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102, 3DD103