3DD11 Todos los transistores

 

3DD11 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD11
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD11 Datasheet (PDF)

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3DD11

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD11NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

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History: 2N413 | MJL21195G | HSC2621

 

 
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