3DD11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD11

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD11 даташит

 ..1. Size:28K  shaanxi
 3dd11.pdf pdf_icon

3DD11

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD11 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

Другие транзисторы: 3DD05T, 3DD1, 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102, 3DD103, 3DD104, 2SA1837, 3DD12, 3DD122, 3DD127D3, 3DD127D5, 3DD128A8D, 3DD128FA7D, 3DD128FH3D, 3DD128FH5D