Справочник транзисторов. 3DD11

 

Биполярный транзистор 3DD11 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD11
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DD11

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  shaanxi
 3dd11.pdf pdf_icon

3DD11

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD11NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

Другие транзисторы... 3DD05T , 3DD1 , 3DD10 , 3DD100 , 3DD101 , 3DD102 , 3DD103 , 3DD104 , BC546 , 3DD12 , 3DD122 , 3DD127D3 , 3DD127D5 , 3DD128A8D , 3DD128FA7D , 3DD128FH3D , 3DD128FH5D .

History: 2N6199

 

 
Back to Top

 


 
.