3DD122 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD122
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD122
3DD122 Datasheet (PDF)
3dd122.pdf
3DD122(TIP122) NPN PCM Tc=25 65 W 5 I A 8 Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.9 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=2mA 100 V V(BR)CEO ICE=10mA 100 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V VCB= 100V 0.2 ICBO VCB= 0.5V mA BRCBO2.0 Tc=125
3dd128fh6d.pdf
NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128fh8d.pdf
NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128f h8d.pdf
NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128f a7d.pdf
NPN R 3DD128F A7D 3DD128F A7D NPN VCEO 200 V IC 5 A , Ptot TC=25 50 W
3dd128 a8d.pdf
NPN R 3DD128 A8D 3DD128 A8D NPN VCEO 200 V IC 5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128fh5d.pdf
NPN R 3DD128F H5D 3DD128F H5D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128fh3d.pdf
NPN R 3DD128F H3D 3DD128F H3D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 40 W
3dd127 d5.pdf
NPN R 3DD127 D5 3DD127 D5 NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot W TC=25 40
3dd128f h6d.pdf
NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128 y8d.pdf
NPN R 3DD128 Y8D 3DD128 Y8D NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W
3dd128y8d.pdf
NPN R 3DD128 Y8D 3DD128 Y8D NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W
3dd128fa7d.pdf
NPN R 3DD128F A7D 3DD128F A7D NPN VCEO 200 V IC 5 A , Ptot TC=25 50 W
3dd128f h5d.pdf
NPN R 3DD128F H5D 3DD128F H5D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128f h3d.pdf
NPN R 3DD128F H3D 3DD128F H3D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 40 W
3dd12.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD12NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
