3DD122. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD122
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 3DD122
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD122 даташит
3dd122.pdf
3DD122(TIP122) NPN PCM Tc=25 65 W 5 I A 8 Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.9 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=2mA 100 V V(BR)CEO ICE=10mA 100 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V VCB= 100V 0.2 ICBO VCB= 0.5V mA BR CBO 2.0 Tc=125
Другие транзисторы: 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102, 3DD103, 3DD104, 3DD11, 3DD12, TIP35C, 3DD127D3, 3DD127D5, 3DD128A8D, 3DD128FA7D, 3DD128FH3D, 3DD128FH5D, 3DD128FH6D, 3DD128FH8D
History: 3CA1412 | DTC144ETA | SRA2207S | EMT2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor