3DD13003V6D Todos los transistores

 

3DD13003V6D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD13003V6D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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3DD13003V6D Datasheet (PDF)

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RNPN 3DD13003V6D 1 3DD13003V6D NPN

 5.1. Size:416K  jilin sino
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NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R3DD13003V1D APPLICATIONS Package Energy-saving ligh Electronic ballasts Electronic transformer Commonly power amplifier circuit FEATURES M

 5.2. Size:418K  blue-rocket-elect
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3DD13003V6D

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

 5.3. Size:446K  blue-rocket-elect
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3DD13003V6D

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V

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