3DD13003V6D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003V6D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13003V6D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003V6D даташит

 ..1. Size:107K  crhj
 3dd13003v6d.pdf pdf_icon

3DD13003V6D

R NPN 3DD13003V6D 1 3DD13003V6D NPN

 5.1. Size:416K  jilin sino
 3dd13003v1d.pdf pdf_icon

3DD13003V6D

NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13003V1D APPLICATIONS Package Energy-saving ligh Electronic ballasts Electronic transformer Commonly power amplifier circuit FEATURES M

 5.2. Size:418K  blue-rocket-elect
 br3dd13003vk1k.pdf pdf_icon

3DD13003V6D

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

 5.3. Size:446K  blue-rocket-elect
 br3dd13003vk7r.pdf pdf_icon

3DD13003V6D

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13003M6D, 3DD13003M8D, 3DD13003S1D, 3DD13003SUD, 3DD13003U1D, 3DD13003U3D, 3DD13003U6D, 3DD13003V1D, 2N2907, 3DD13003VUD, 3DD13003W3D, 3DD13003W6D, 3DD13003X1, 3DD13005A1, 3DD13005A3, 3DD13005A7, 3DD13005B3