3DD13003V6D - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3DD13003V6D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 3DD13003V6D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126

Аналоги (замена) для 3DD13003V6D

3DD13003V6D Datasheet (PDF)

..1. Size:107K crhj
3dd13003v6d.pdf

RNPN 3DD13003V6D 1 3DD13003V6D NPN

5.1. Size:416K jilin sino
3dd13003v1d.pdf

NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R3DD13003V1D APPLICATIONS Package Energy-saving ligh Electronic ballasts Electronic transformer Commonly power amplifier circuit FEATURES M

5.2. Size:418K blue-rocket-elect
br3dd13003vk1k.pdf

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

5.3. Size:446K blue-rocket-elect
br3dd13003vk7r.pdf

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V

5.4. Size:139K crhj
3dd13003vud.pdf