3DD13007X1 Todos los transistores

 

3DD13007X1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD13007X1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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3DD13007X1 Datasheet (PDF)

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3DD13007X1

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

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3DD13007X1

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot TC=25

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3DD13007X1

MJE13007X9(BR3DD13007X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting, switching power supply applications.

 5.2. Size:455K  blue-rocket-elect
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3DD13007X1

MJE13007X7(BR3DD13007X7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lightin

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