3DD13007X1 - описание и поиск аналогов

 

3DD13007X1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13007X1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13007X1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13007X1 даташит

 ..1. Size:152K  crhj
 3dd13007x1.pdf pdf_icon

3DD13007X1

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 ..2. Size:159K  wuxi china
 3dd13007x1.pdf pdf_icon

3DD13007X1

NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot TC=25

 5.1. Size:447K  blue-rocket-elect
 br3dd13007x9p.pdf pdf_icon

3DD13007X1

MJE13007X9(BR3DD13007X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting, switching power supply applications.

 5.2. Size:455K  blue-rocket-elect
 br3dd13007x7r.pdf pdf_icon

3DD13007X1

MJE13007X7(BR3DD13007X7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lightin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D, 3DD13005P8D, 3DD13007, 3DD13007B8, 3DD13007H8D, TIP41, 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8, 3DD13009, 3DD13009A8, 3DD13009AN, 3DD13009C8, 3DD13009X8D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.