3DD171 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3DD171
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD171

3DD171 Datasheet (PDF)

..1. Size:33K shaanxi
3dd171.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD171(172), 3DD175(176) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. U

9.1. Size:134K china
3dd1724.pdf

3DD1724 NPN PCM TC=75 60 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.67 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA 120 V V(BR)CEO ICE=7mA 80 V V(BR)EBO IEB=10mA 10 V ICBO VCB=80V 0.1 mA ICEO VCE=50V 0.5 mA IEBO VEB=4V 0.1 mA VBEsat 1.5

9.2. Size:123K china
3dd176.pdf

3DD175/3DD176 NPN A B C D E F G PCM TC=75 300 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.33 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V

9.3. Size:123K china
3dd175.pdf